GaN快充模组方案

GaN快充模组方案

2020. 10. 14

浩阳推出 60W PD GAN POWER, 尺寸上亦达到45CC要求,在无任何散热元件协助下, 将GAN FET 元件温度成功保持在75度C(115Vac/60W out /环温28度C), 高压效率亦可高于93% 水平, EMI(CE/RE)表现上亦可维持低于-6dB以上之要求, 电源成本上同时提供客户不同于市面方案总成本。

有关更详细的讯息，您可参阅GaN快充模组，或与浩阳半导体窗口联系。